| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 75 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 100 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 10000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 6@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 220@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 220 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 50 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 40 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 12200@20V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 730@20V |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 950 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1650 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 640 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 460 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 930 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 80 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 4.6@10V|5.7@4V |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 400 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.9 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 3.9 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 4.5 mm |
| Verpackungsbreite | 9.2 mm |
| Verpackungslänge | 10 mm |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | D2PAK |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Gull-wing |
