| RoHS EU | Compliant |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 30 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 3.4@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 66@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 66 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 5300@50V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 7500 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 13 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 8 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 46.5 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 15 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
