| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete-Unconfirmed |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 79 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 10 |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 46 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 110000 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 9.02(Max) |
| Verpackungsbreite | 4.83(Max) |
| Verpackungslänge | 10.67(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-220AB |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Through Hole |
