| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Dual |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 22 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 80 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 500 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1200 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 8000@10V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 600000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 40 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 30 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 80 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 20 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tray |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 16 mm |
| Verpackungsbreite | 45.6 mm |
| Verpackungslänge | 122 mm |
| Leiterplatte geändert | 10 |
| Stiftanzahl | 10 |
