| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.21.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Prozesstechnologie | 0.18um to 2um |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 50 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.5 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 0.22 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 0.5 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 3500@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 1.7@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 1.7 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 0.4 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 0.1 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 27@25V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 6@25V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.8 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 13 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 360 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 7 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 9 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 20 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 2.5 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 0.88 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.8 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.4 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.3 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.94 |
| Verpackungsbreite | 1.3 |
| Verpackungslänge | 2.9 |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | SOT |
| Lieferantenverpackung | SOT-23 |
| Stiftanzahl | 3 |
