| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| Part Status | Active |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual Dual Drain |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 23 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 35@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 20@10V|10.7@5V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1252@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 42000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 10.5 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 15.1 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 12.9 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 10.7 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.05(Max) |
| Verpackungsbreite | 4.7(Max) |
| Verpackungslänge | 5.3(Max) |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | FPAK |
| Lieferantenverpackung | LFPAK-D |
| Stiftanzahl | 8 |
