| Part Status | Active |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 19 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 60@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 12@10V|6.5@5V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 731@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 50400 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 7.1 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 7.3 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 9.1 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 6.4 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.9(Max) |
| Verpackungsbreite | 2.6 |
| Verpackungslänge | 3.4(Max) |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | FPAK |
| Lieferantenverpackung | LFPAK EP |
| Stiftanzahl | 8 |
