| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Dual |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 19 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.6 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 494(Typ) |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 1300 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 160 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 4.2@15V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 1055@15V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 30700@800V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1364000(Typ) |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Temperaturbereich Lieferant | Industrial |
| Verpackung | Box |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 15.75 mm |
| Verpackungsbreite | 53 mm |
| Verpackungslänge | 80 mm |
| Leiterplatte geändert | 10 |
| Stiftanzahl | 10 |
