| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Dual |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 25 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.6(Typ) |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 200(Typ) |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 1500 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 3000 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 16@20V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 378@20V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 6470@800V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1000000(Typ) |
| Typische Abfallzeit (ns) | 22 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 34 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 70 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 38 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 125 |
| Temperaturbereich Lieferant | Industrial |
| Verpackung | Box |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungsbreite | 61.4 mm |
| Verpackungslänge | 106.4 mm |
| Leiterplatte geändert | 7 |
| Stiftanzahl | 7 |
