| Part Status | Active |
| HTS | 8541.10.00.80 |
| Automotive | Yes |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Quad |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 4 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 19 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 100 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 14.9@15V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 405@15V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 10100@800V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 265000(Typ) |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 125 |
| Temperaturbereich Lieferant | Industrial |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 12 |
| Verpackungsbreite | 56.7 |
| Verpackungslänge | 62.8 |
| Leiterplatte geändert | 29 |
| Stiftanzahl | 29 |
