| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | 8534.00.00.40 |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 32 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 35@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 15@5V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 800@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 79000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 110 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 210 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 60 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 15 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Befestigung | Through Hole |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Stiftanzahl | 3 |
