| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.21.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Depletion |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 800 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±15 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 125 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 20000(Min) |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 380000@0V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 20@25V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 1.3@25V |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 2.2 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 400 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 110 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 15 |
| Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W) | 0.4 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 0.15 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.6 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.94 mm |
| Verpackungsbreite | 1.3 mm |
| Verpackungslänge | 2.92 mm |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | SOT |
| Lieferantenverpackung | SOT-23 |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Gull-wing |
