| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Single Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 19 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 100 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 27@15V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 162@15V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 4818@1000V |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Lieferantenverpackung | Die |
| Stiftanzahl | 3 |
