| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 12 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 8 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.2 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 7.1 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 25 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 0.05 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 19@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 3.9@4.5V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 0.39 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 0.74 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 519@6V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 29@6V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.5 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 305 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1400 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 10 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 10 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 33 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 7 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 26@1.8V|18@2.5V|15@4.5V |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 41 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 245(Typ) |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.67 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 1.2 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.8 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 8 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.36(Max) |
| Verpackungsbreite | 0.77(Max) |
| Verpackungslänge | 1.53(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Lieferantenverpackung | PicoStar |
| Stiftanzahl | 3 |
