| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 8 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | -6 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 5 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 5.7@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 11.2@4.5V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 1.8 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1750@4V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1700 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 45 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 17 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 118 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 37 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.7 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.28(Max) |
| Verpackungsbreite | 1.5 |
| Verpackungslänge | 1.5 |
| Leiterplatte geändert | 9 |
| Standard-Verpackungsname | BGA |
| Lieferantenverpackung | DSBGA |
| Stiftanzahl | 9 |
| Leitungsform | Ball |
