| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 12 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±8 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 25 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 2.8@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 36.4@4V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 2504@10V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2750 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 3900 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 1788 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 5412 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 419 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.11 |
| Verpackungsbreite | 1.49 |
| Verpackungslänge | 2.98 |
| Leiterplatte geändert | 10 |
| Lieferantenverpackung | X4-DSN |
| Stiftanzahl | 10 |
