| RoHS EU | Compliant |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±12 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 10000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 0.1 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 17@15V |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 0.7 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.6 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.37 mm |
| Verpackungsbreite | 0.8 mm |
| Verpackungslänge | 0.6 mm |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | DFN |
| Lieferantenverpackung | X2-DFN |
| Stiftanzahl | 3 |
