| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 40 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 55 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 15@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 31@4.5V|67@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 67 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 11 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 13.2 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 11.6 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 4004@20V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 229@20V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 309 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3700 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 53 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 32 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 46 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 9.9 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 120 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.7 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 19.5 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 2.29 mm |
| Verpackungsbreite | 6.1 mm |
| Verpackungslänge | 6.58 mm |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | DPAK |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Gull-wing |
