| RoHS EU | Compliant |
| Part Status | Active |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 750@20V |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Temperaturbereich Lieferant | Automotive |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.8(Max) |
| Verpackungsbreite | 3.05 |
| Verpackungslänge | 3.05 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Lieferantenverpackung | PowerDI EP |
| Stiftanzahl | 8 |