| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Yes |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 40 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 70 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 9@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 44@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 44 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 11 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 11 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 2860@25V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 180@25V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 2 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 295 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 92000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 16 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 19 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 36 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 10 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 14.5@5V|10.5@6V|9@7V|8.2@8V|7.9@9V|7.5@10V |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 4.9 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.25 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.5 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 4.83(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 9.65(Max) mm |
| Verpackungslänge | 10.67(Max) mm |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | D2PAK |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Gull-wing |
