| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | COMPONENTS |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.5 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 23 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 3.9@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 56@5V|106@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 106 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 23 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 15 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 21(Max) |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 5200@15V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 570@15V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.2 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 970 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 160000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 47 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 98 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 75 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 10 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 3.2@10V|3.8@4.5V |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 43 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 3 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 37 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.25 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 4.83(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 9.65(Max) mm |
| Verpackungslänge | 10.67(Max) mm |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | D2PAK |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Gull-wing |
