| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual |
| Prozesstechnologie | 0.18um to 2um |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P|N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±8 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.5 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 1.9@P Channel|2.7@N Channel |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 170@4.5V@P Channel|80@4.5V@N Channel |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 2.85@4.5V@P Channel|3.25@4.5V@N Channel |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 0.65@P Channel|0.9@N Channel |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 0.68@P Channel|0.65@N Channel |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 315@10V@P Channel|325@10V@N Channel |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 35@10V@N Channel|24@10V@P Channel |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.4 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 65@P Channel|75@N Channel |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 960 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 3@P Channel|3@N Channel |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 14@P Channel|9@N Channel |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 14@P Channel|12@N Channel |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 7@P Channel|5@N Channel |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 93@2.5V|69@4.5V@N Channel|205@2.5V|141@4.5V@P Channel |
| Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W) | 0.96 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 8 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 180 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.76@N Channel|0.79@P Channel |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 1.7@N Channel|1.9@P Channel |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.9 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 8 |
| Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A) | 2.7@N Channel|1.9@P Channel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.85 mm |
| Verpackungsbreite | 1.5 mm |
| Verpackungslänge | 2.95 mm |
| Leiterplatte geändert | 6 |
| Standard-Verpackungsname | SOT |
| Lieferantenverpackung | TSOT-23 |
| Stiftanzahl | 6 |
| Leitungsform | Gull-wing |
