| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | COMPONENTS |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual |
| Prozesstechnologie | 0.18um to 2um |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N|P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±16@N Channel|±25@P Channel |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 2.5@N Channel|2@P Channel |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 95@10V@N Channel|130@10V@P Channel |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 4.7@10V@N Channel|4.1@10V@P Channel |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 4.7@N Channel|4.1@P Channel |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 0.6@N Channel|0.4@P Channel |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 0.9@N Channel|0.8@P Channel |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 282@15V@N Channel|185@15V@P Channel |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 20@15V@N Channel|26@15V@P Channel |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 49@N Channel|56@P Channel |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 960 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 1.5@N Channel|2@P Channel |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 6@N Channel|13@P Channel |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 19@N Channel|11@P Channel |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 4.5 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 73@10V|90@4.5V@N Channel|95@10V|142@4.5V@P Channel |
| Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W) | 0.96 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 8 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 180 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.8 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 2.8 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.8 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 16@N Channel|25@P Channel |
| Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A) | 2.5@N Channel|2@P Channel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.85 mm |
| Verpackungsbreite | 1.5 mm |
| Verpackungslänge | 2.95 mm |
| Leiterplatte geändert | 6 |
| Standard-Verpackungsname | SOT |
| Lieferantenverpackung | TSOT-23 |
| Stiftanzahl | 6 |
| Leitungsform | Gull-wing |
