| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | COMPONENTS |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Dual |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 8@Q1|12@Q2 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 20@10V@Q1|9.5@10V@Q2 |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 7.3@10V|3.1@4.5V@Q1|16@10V|7@4.5V@Q2 |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 7.3@Q1|16@Q2 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 1@Q 1|1.5@Q 2 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 1.8@Q 1|4.1@Q 2 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 2.3@Q 1|5.6@Q 2 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 495@15V@Q1|1180@15V@Q2 |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 20@15V@Q 1|30@15V@Q 2 |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 145@Q1|330@Q2 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1900@Q1|2200@Q2 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 1.3@Q 1|6@Q 2 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 3.1@Q 1|4@Q 2 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 35@Q 1|38@Q 2 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 11@Q 1|13@Q 2 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 16@10V|24@4.5V@Q1|7.3@10V|9.5@4.5V@Q2 |
| Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W) | 1900@Q 1|2200@Q 2 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 40 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 180@Q 1|145@Q 2 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.8 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 3.5 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 13@Q 1|21@Q 2 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.3 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A) | 8@Q 1|12@Q 2 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.75(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 3 mm |
| Verpackungslänge | 3 mm |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | DFN |
| Lieferantenverpackung | WDFN EP |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | No Lead |
