| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Dual |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 12@Q1|17@Q2 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 7.5@10V@Q1|4.2@10V@Q2 |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 20@10V|9.3@4.5V@Q1|43@10V|20@4.5V@Q2 |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 20@Q1|43@Q2 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1315@15V@Q1|2960@15V@Q2 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2100@Q1|2200@Q2 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 2.3@Q 1|3.1@Q 2 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 2.5@Q 1|4@Q 2 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 20@Q 1|31@Q 2 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 8.6@Q 1|13@Q 2 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.75(Max) |
| Verpackungsbreite | 4.5 |
| Verpackungslänge | 3 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Lieferantenverpackung | WDFN EP |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | No Lead |
