| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | COMPONENTS |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Quad |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N|P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 4 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100@NPN|80@PNP |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 3.4@NPN|2.6@PNP |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 110@10V@N Channel|190@10V@P Channel |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 2.9@10V|1.6@5V@N Channel|13@10V|6.4@4.5V@P Channel |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 2.9@N Channel|13@P Channel |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 158@50V@NPN|639@40V@PNP |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2500 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 1.9@NPN|2.7@PNP |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 1.3@NPN|2.8@PNP |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 7.5@NPN|22@PNP |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 3.8@NPN|4.7@PNP |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.75(Max) |
| Verpackungsbreite | 4.5 |
| Verpackungslänge | 5 |
| Leiterplatte geändert | 12 |
| Standard-Verpackungsname | DFN |
| Lieferantenverpackung | WDFN EP |
| Stiftanzahl | 12 |
| Leitungsform | No Lead |
