| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.55 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Prozesstechnologie | 0.18um to 2um |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 43 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1.1@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 170@10V|137@8V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 170 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 14406@30V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3200 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 19 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 47 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 66 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 75 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.97(Max) |
| Verpackungsbreite | 7.9 |
| Verpackungslänge | 8 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | DFN |
| Lieferantenverpackung | TDFNW EP |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | No Lead |
