| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.21.00.95 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual Common Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20@Q1|±12@Q2 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 17@Q1|25@Q2 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1@Q 1|500@Q 2 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 5@10V@Q1|2.4@10V@Q2 |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 17@10V@Q1|39@10V@Q2 |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 17@Q1|39@Q2 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1224@15V@Q1|2730@15V@Q2 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2100@Q1|2300@Q2 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 2@Q 1|3@Q 2 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 2@Q 1|4@Q 2 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 18@Q 1|30@Q 2 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 8@Q 1|10@Q 2 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.75(Max) |
| Verpackungsbreite | 6 |
| Verpackungslänge | 5 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Lieferantenverpackung | PQFN EP |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | No Lead |
