| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Yes |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual Dual Drain |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N|P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 3 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 7@N Channel|5@P Channel |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 28@10V@N Channel|52@10V@P Channel |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 11.4@10V@N Channel|9.6@10V@P Channel |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 11.4@N Channel|9.6@P Channel |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 2.1@N Channel|1.7@P Channel |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 1.7@N Channel|2.2@P Channel |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 9@N Channel|6@P Channel |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 575@15V@N Channel|528@15V@P Channel |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 2.1@15V@N Channel|6@15V@P Channel |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 145@N Channel|132@P Channel |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 3@N Channel|9@P Channel |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 5@N Channel|13@P Channel |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 23@N Channel|14@P Channel |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 8@N Channel|7@P Channel |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 24@4.5V|19@10V@N Channel65@4.5V|42@10V@P Channel |
| Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W) | 1.6 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 20 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 135 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.75@N Channel|0.88@P Channel |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 3@N Channel |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 19 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.9@N Channel|1.7@P Channel |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A) | 7@N Channel|5@P Channel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.5(Max) |
| Verpackungsbreite | 3.9 |
| Verpackungslänge | 4.9 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | SOIC |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | Gull-wing |