| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Dual |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 5.15 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 100 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 400 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 380 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 8.1(Typ)@18V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 297@18V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 8800@800V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 28@800V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.45 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 420 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 20 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 70 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 73 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 53 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tray |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 4.2 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 5.35 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 4.3 |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 12.25 mm |
| Verpackungsbreite | 33.8 mm |
| Verpackungslänge | 62.8 mm |
| Leiterplatte geändert | 18 |
| Stiftanzahl | 18 |
