| RoHS EU | Not Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 8 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 25 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 195@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 28.51(Max)@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 28.51(Max) |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 16.59(Max) |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 6.34(Max) |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 3000(Max) |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 650@25V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 44@25V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 2 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 240 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 25000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 45(Max) |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 75(Max) |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 40(Max) |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 30(Max) |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Temperaturbereich Lieferant | Military |
| Verpackung | Tray |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 32 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 300(Max) |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.5 |
| Durchmesser | 9.39(Max) |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 4.57(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-39 |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Through Hole |
