| RoHS EU | Compliant |
| Part Status | LTB |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | GaN |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 650 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 7 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 11 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 195@6V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 2.2@6V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 70@400V |
| Typische Abfallzeit (ns) | 10 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 5 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 8 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 5 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.87 |
| Verpackungsbreite | 8 |
| Verpackungslänge | 8 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | DFN |
| Lieferantenverpackung | PDFN EP |
| Stiftanzahl | 8 |
