| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual Dual Drain |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 13.5 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 11.5@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 10.8@4.5V|22@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 22 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1400@30V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 11 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 8.5 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 43 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 15 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungsbreite | 5.8(Max) mm |
| Verpackungslänge | 5(Max) mm |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | HSOP EP |
| Stiftanzahl | 8 |
