Infineon Technologies AGIMBG65R007M2HXTMA1MOSFETs
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
| Compliant | |
| EAR99 | |
| Active | |
| 8541.29.00.95 | |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Power MOSFET | |
| SiC | |
| Single Hex Source | |
| Enhancement | |
| N | |
| 1 | |
| 650 | |
| 23 | |
| -55 to 175 | |
| 238 | |
| 8.5@18V | |
| 179@18V | |
| 6359@400V | |
| 789000 | |
| 20 | |
| 41 | |
| 53 | |
| 22 | |
| -55 | |
| 175 | |
| Tape and Reel | |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 4.4 |
| Verpackungsbreite | 9.25 |
| Verpackungslänge | 10 |
| Leiterplatte geändert | 7 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-263 |
| 8 |
| EDA / CAD Models |
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