| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Seven Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 600 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 44 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 50@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 68@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 68 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 24 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 13 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 5800 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 2670@400V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 3 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 55 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 245000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 3 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 6 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 72 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 22 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 43@10V |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 135 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 62 |
| Typische Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.8 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 5 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 370 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.5 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 2.3 |
| Verpackungsbreite | 10.38 |
| Verpackungslänge | 9.8 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | HSOF |
| Stiftanzahl | 9 |
