| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | COMPONENTS |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Quad Drain Dual Source |
| Prozesstechnologie | HEXFET |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 25 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.35 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 32 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 500 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1.8@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 35@4.5V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 10 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 8.8 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 34 |
| Typische Schaltladung (nC) | 14.8 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 4280@13V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 550@13V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.35 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 1280 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2800 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 11 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 27 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 16 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 16 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 1.4@10V|2.4@4.5V |
| Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W) | 2.8 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 250 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 45 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 2.9 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 27 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 0.75 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.8 |
| Max. Gate-Widerstand (Ohm) | 2.2 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Dauer-Drain-Strombereich auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (A) | 32 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.53(Max) |
| Verpackungsbreite | 5.05(Max) |
| Verpackungslänge | 5.45(Max) |
| Leiterplatte geändert | 7 |
| Lieferantenverpackung | Direct-FET MX |
| Stiftanzahl | 7 |
| Leitungsform | No Lead |
