| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | COMPONENTS |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 7.3 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 30@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 19@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 19 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 6.3 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 2.3 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 73 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 550@25V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 100@25V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 260 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2500 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 19 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 35 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 21 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 7 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 27(Max)@6V|25(Max)@8V|23(Max)@10V|22(Max)@12V|21(Max)@14V|43(Max)@4V |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 58 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 48 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.5(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 4(Max) mm |
| Verpackungslänge | 5(Max) mm |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | SOIC |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | Gull-wing |
