| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | COMPONENTS |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Dual Dual Drain |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.35 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 9.1@Q1|11@Q2 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 16.4@10V@Q1|11.8@10V@Q2 |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 6.7@4.5V@Q1|14@4.5V@Q2 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 2.5@Q 1|4.9@Q 2 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 1.3@Q 1|3@Q 2 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 4.1@Q 1|5.9@Q 2 |
| Typische Schaltladung (nC) | 3.2@Q 1|6.2@Q 2 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 850@15V@Q1|1790@15V@Q2 |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 88@15V@Q 1|190@15V@Q 2 |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.35 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 190@Q1|390@Q2 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 3.4@Q 1|5.3@Q 2 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 9.3@Q 1|14@Q 2 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 8@Q 1|13@Q 2 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 6@Q 1|8@Q 2 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 13.7@10V|17.1@4.5V@Q1|9.8@10V|11.5@4.5V@Q2 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 76@Q 1|85@Q 2 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 62.5 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 2.75@Q 1|2.8@Q 2 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 12@Q 1|16@Q 2 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.8 |
| Max. Gate-Widerstand (Ohm) | 4.7@Q 1|5@Q 2 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.38 |
| Verpackungsbreite | 3.9 |
| Verpackungslänge | 4.9 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | SOIC N |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | Gull-wing |
