| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | COMPONENTS |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 14 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 25 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 200@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 58(Max)@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 58(Max) |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 32(Max) |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 8.3(Max) |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 650 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 760@25V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 170@25V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 2 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 260 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3800 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 46 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 58 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 45 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 15 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 56 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 40 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 6 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.6 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 4.83(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 9.65(Max) mm |
| Verpackungslänge | 10.67(Max) mm |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | D2PAK |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Gull-wing |
