| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | COMPONENTS |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±12 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.1 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 28 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 3@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 44@4.5V|86@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 86 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 3710@10V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 3600 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 36 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 23 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 67 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 9.4 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm) | 2.3@4.5V|3.2@2.5V |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 12 |
| Max. Leistungsaufnahme auf Leiterplatte bei TC = 25 °C (W) | 3.6 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 35 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 1 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 38 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.8 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.03 |
| Verpackungsbreite | 5.75 |
| Verpackungslänge | 4.9 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | QFN |
| Lieferantenverpackung | QFN EP |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | No Lead |
