| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Quad Drain |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±12 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.7(Min) |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 2.4 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 200@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 5.8@4.5V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 2.1 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 1.8 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 15 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 210@15V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 73@15V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 0.7 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 130 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1700 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 18 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 20 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 21 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 13 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 12 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 13 |
| Max. thermischer Widerstand, Sperrschichtumgebung auf Leiterplatte (°C/W) | 75 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 2.1 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 25 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.2 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.3(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 1.75(Max) mm |
| Verpackungslänge | 3(Max) mm |
| Leiterplatte geändert | 6 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | TSOP |
| Stiftanzahl | 6 |
| Leitungsform | Gull-wing |
