| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Obsolete |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 30 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 2.35 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 160 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 3.1@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 39@4.5V |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 13 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 10 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 32 |
| Typische Schaltladung (nC) | 17 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 4880@15V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 470@15V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.35 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 950 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 135000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 17 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 35 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 21 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 19 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 640 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 18 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1 |
| Typische Gate-Schwellwertspannung (V) | 1.9 |
| Max. Gate-Widerstand (Ohm) | 1.5 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 2.39(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 6.22(Max) mm |
| Verpackungslänge | 6.73(Max) mm |
| Leiterplatte geändert | 2 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | DPAK |
| Stiftanzahl | 3 |
