| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 650 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±30 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 5 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 150 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 200 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 50 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 17@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 355@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 355 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 21000@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1560000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 13 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 30 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 100 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 55 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 26.59(Max) |
| Verpackungsbreite | 5.31(Max) |
| Verpackungslänge | 20.29(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Lieferantenverpackung | PLUS 264 |
| Stiftanzahl | 3 |
