| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Prozesstechnologie | GigaMOS |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 150 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 240 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 5.2@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 460@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 460 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 32000@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1250000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 145 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 125 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 77 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 48 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 26.16(Max) |
| Verpackungsbreite | 5.13(Max) |
| Verpackungslänge | 19.96(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-264 |
| Stiftanzahl | 3 |
