| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.55 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Dual Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 650 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±30 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 5 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 170 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 200 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 50 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 13@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 434@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 434 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 137 |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 166 |
| Typische Umkehr-Erholungsladung (nC) | 3100 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 27000@25V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 12400@25V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.5 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 15800 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1170000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 6 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 15 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 133 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 60 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 340 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 6.5 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 270 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 1.4 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 30 |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungshöhe | 9.26 |
| Verpackungsbreite | 25.29 |
| Verpackungslänge | 38.12 |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Standard-Verpackungsname | SOT |
| Lieferantenverpackung | SOT-227B |
| Stiftanzahl | 4 |
| Leitungsform | Screw |
