| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 420 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 2.6@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 670@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 670 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 47000@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1670000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 255 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 155 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 115 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 47 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 21.34(Max) mm |
| Verpackungsbreite | 5.21(Max) mm |
| Verpackungslänge | 16.13(Max) mm |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Lieferantenverpackung | PLUS 247 |
| Stiftanzahl | 3 |
