| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 4500 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 6 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 2 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 200 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 50 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 20000@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 180@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 180 |
| Typische Gate-Drain-Ladung (nC) | 83@10V |
| Typische Gate-Source-Ladung (nC) | 34 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 6860@25V |
| Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF) | 105@25V |
| Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V) | 3.5 |
| Typische Ausgangskapazität (pF) | 267 |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 220000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 205 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 34 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 123 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 40 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Max. positive Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A) | 8 |
| Typische Gate-Plateau-Spannung (V) | 6 |
| Typische Sperrerholungszeit (ns) | 1750 |
| Max. Dioden-Durchlassspannung (V) | 3 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 26.42(Max) |
| Verpackungsbreite | 5.21(Max) |
| Verpackungslänge | 20.29(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | ISOPLUS I5-PAK |
| Stiftanzahl | 3 |
| Leitungsform | Through Hole |
