| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Prozesstechnologie | GigaMOS |
| Konfiguration | Single Dual Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 55 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 550 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 1.3@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 595@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 595 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 40@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 940000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 230 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 40 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 90 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 45 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungsbreite | 25.42(Max) |
| Verpackungslänge | 38.23(Max) |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Standard-Verpackungsname | SOT |
| Lieferantenverpackung | SOT-227B |
| Stiftanzahl | 4 |
