| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Yes |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Konfiguration | Single Dual Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 90 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 44@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 205@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 205 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 12000@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 890000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 28 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 60 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 89 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 32 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungsbreite | 25.42(Max) |
| Verpackungslänge | 38.23(Max) |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Standard-Verpackungsname | SOT |
| Lieferantenverpackung | SOT-227B |
| Stiftanzahl | 4 |
