| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.10.00.80 |
| SVHC | Yes |
| SVHC überschreitet Schwellenwert | Yes |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Depletion |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1000 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 80000@0V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 5.8@5V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 100@25V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1100 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 64 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 10 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 34 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 7 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 9.4(Max) |
| Verpackungsbreite | 4.7(Max) |
| Verpackungslänge | 10.3(Max) |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-220 |
| Stiftanzahl | 3 |
